Estudio de películas de GaN crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de Si en las direcciones (111) y (001) recubiertos con una capa delgada de SiC
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Redalyc
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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Sprache: | es |
| Veröffentlicht: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2000
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| _version_ | 1876450953467527168 |
|---|---|
| author | M. Cervantes Contreras |
| author_facet | M. Cervantes Contreras |
| contents | Estudio de películas de GaN crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de Si en las direcciones (111) y (001) recubiertos con una capa delgada de SiC M. Cervantes Contreras M. Tamura J. Luyo Alvarado M. López López M. Meléndez Lira Física, Astronomía y Matemáticas Se estudiaron películas de GaN crecidas sobre substratos de Si orientados en las direcciones (111) y (001) concapas colchón de SiC (~2.5 nm) por epitaxia de haces moleculares asistido con una fuente de plasma de nitrógenoactivado con radio frecuencia. Las películas se caracterizaron por medio de difracción de rayos x en el modo q-2q,microscopía electrónica de barrido, microscopía de fuerza atómica, y fotoluminiscencia a 12 K. Las películas de GaNsobre Si(111) mostraron una preferencia a crecer con la fase hexagonal, mientras que sobre Si(001) crecieronpreferentemente con la fase cúbica. En las películas de GaN crecidas en la fase cúbica se obtuvo una mejor calidadcristalina 2000 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201012 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.10 |
| format | Artículo científico |
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| institution | Redalyc |
| language | es |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. |
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| title | Estudio de películas de GaN crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de Si en las direcciones (111) y (001) recubiertos con una capa delgada de SiC |
| topic | Física, Astronomía y Matemáticas |
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