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Estudio de películas de GaN crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de Si en las direcciones (111) y (001) recubiertos con una capa delgada de SiC

Fuente: Redalyc

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Détails bibliographiques
Auteur principal:	M. Cervantes Contreras
Format:	Artículo científico
Langue:	es
Publié:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2000
Sujets:	Física, Astronomía y Matemáticas
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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