Estudio de películas de GaN crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de Si en las direcciones (111) y (001) recubiertos con una capa delgada de SiC
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|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Language: | es |
| Published: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2000
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