Influence of several relaxation times on the cryogenic self-heating of silicon devices

Fuente: Redalyc

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	F. Javier De la Hidalga. W.
Format:	Artículo científico
Sprache:	en
Veröffentlicht:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2001
Schlagworte:	Física, Astronomía y Matemáticas Self MOSFET Heating Cryogenics Relaxation
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