Obtención de imágenes térmicas y termoelectrónicas mediante Radiometría Fototérmica Infrarroja

Fuente: Redalyc
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Autore principale: M.E. Rodríguez
Natura: Artículo científico
Lingua:es
Pubblicazione: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2001
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author M.E. Rodríguez
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contents Obtención de imágenes térmicas y termoelectrónicas mediante Radiometría Fototérmica Infrarroja M.E. Rodríguez P. J. Mendoza Física, Astronomía y Matemáticas En este trabajo, se reportan nuevas aplicaciones de Radiometría Fototérmica Infrarroja en el dominio de la frecuencia,para el estudio cuantitativo de propiedades térmicas y electrónicas de materiales semiconductores. Se da u n especialénfasis a la obtención de imágenes térmicas y termoelectrónicas para el diagnóstico de dispositivos semiconductores.Hemos estudiado obleas de silicio, así como microcircuitos integrados con el propósito de establecer su uniformidadtérmica y electrónica. Finalmente, se analizaron obleas de InSb utilizado como sustratos para el crecimiento por hacesmoleculares de detectores de infrarrojo de InSb/CdTe. De acuerdo a los resultados obtenidos, la Radiometría FototérmicaInfrarroja posee una alta sensibilidad a la detección de diferente concentración de portadores así como a la estructuracristalina del material en áreas microscópicas 2001 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201207 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.12
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publishDate 2001
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M.E. Rodríguez
Física, Astronomía y Matemáticas
Obtención de imágenes térmicas y termoelectrónicas mediante Radiometría Fototérmica Infrarroja M.E. Rodríguez P. J. Mendoza Física, Astronomía y Matemáticas En este trabajo, se reportan nuevas aplicaciones de Radiometría Fototérmica Infrarroja en el dominio de la frecuencia,para el estudio cuantitativo de propiedades térmicas y electrónicas de materiales semiconductores. Se da u n especialénfasis a la obtención de imágenes térmicas y termoelectrónicas para el diagnóstico de dispositivos semiconductores.Hemos estudiado obleas de silicio, así como microcircuitos integrados con el propósito de establecer su uniformidadtérmica y electrónica. Finalmente, se analizaron obleas de InSb utilizado como sustratos para el crecimiento por hacesmoleculares de detectores de infrarrojo de InSb/CdTe. De acuerdo a los resultados obtenidos, la Radiometría FototérmicaInfrarroja posee una alta sensibilidad a la detección de diferente concentración de portadores así como a la estructuracristalina del material en áreas microscópicas 2001 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201207 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.12
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