Epitaxias de Hg1-xCdxTe con orientación cristalográfica ( 1 1 1 ) Te
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Redalyc
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|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Langue: | es |
| Publié: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2001
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| _version_ | 1876483408362733568 |
|---|---|
| author | N.E. Walsöe de Reca |
| author_facet | N.E. Walsöe de Reca |
| contents | Epitaxias de Hg1-xCdxTe con orientación cristalográfica ( 1 1 1 ) Te N.E. Walsöe de Reca E. Heredia U. Gilabert A.B. Trigubó Física, Astronomía y Matemáticas Hg1 xCdxTe CdZnTe y CdTeSe Sustratos de CdTe Orientación ( 1 1 1 ) Te Se crecieron películas epitaxiales de Hg1-xCdxTe sobre sustratos de CdTe, Cd0.96Zn0.04Te y CdTe0.96Se0.04, conorientación cristalográfica ( 1 1 1 ) Te, por el método de epitaxia en fase vapor isotérmica sin sobrepresión de Hg.Se utilizaron sustratos de Cd0.96Zn0.04Te y CdTe0.96Se0.04 pues esto posibilita un mejor ajuste entre las redescristalinas del sustrato y de la epitaxia del Hg1-xCdxTe. Además estos sustratos usualmente tienen una menordensidad de dislocaciones. Ambos hechos permiten una menor generación de defectos lineales en el crecimiento.El Hg1-xCdxTe epitaxial es un material importante para la fabricación de detectores de radiación infrarroja. Esdeseable mejorar su calidad cristalina ya que los defectos estructurales perjudican las propiedades de losdispositivos. La caracterización de las películas incluye microscopía óptica y electrónica de barrido, ataquequímico, difracción de rayos x, análisis de composición con microsonda electrónica dispersiva en longitudes deonda y medición de propiedades eléctricas mediante efecto Hall. 2001 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201305 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.13 |
| format | Artículo científico |
| id | redalyc_94201305 |
| institution | Redalyc |
| language | es |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. |
| spellingShingle | Epitaxias de Hg1-xCdxTe con orientación cristalográfica ( 1 1 1 ) Te N.E. Walsöe de Reca Física, Astronomía y Matemáticas Hg1 xCdxTe CdZnTe y CdTeSe Sustratos de CdTe Orientación ( 1 1 1 ) Te Epitaxias de Hg1-xCdxTe con orientación cristalográfica ( 1 1 1 ) Te N.E. Walsöe de Reca E. Heredia U. Gilabert A.B. Trigubó Física, Astronomía y Matemáticas Hg1 xCdxTe CdZnTe y CdTeSe Sustratos de CdTe Orientación ( 1 1 1 ) Te Se crecieron películas epitaxiales de Hg1-xCdxTe sobre sustratos de CdTe, Cd0.96Zn0.04Te y CdTe0.96Se0.04, conorientación cristalográfica ( 1 1 1 ) Te, por el método de epitaxia en fase vapor isotérmica sin sobrepresión de Hg.Se utilizaron sustratos de Cd0.96Zn0.04Te y CdTe0.96Se0.04 pues esto posibilita un mejor ajuste entre las redescristalinas del sustrato y de la epitaxia del Hg1-xCdxTe. Además estos sustratos usualmente tienen una menordensidad de dislocaciones. Ambos hechos permiten una menor generación de defectos lineales en el crecimiento.El Hg1-xCdxTe epitaxial es un material importante para la fabricación de detectores de radiación infrarroja. Esdeseable mejorar su calidad cristalina ya que los defectos estructurales perjudican las propiedades de losdispositivos. La caracterización de las películas incluye microscopía óptica y electrónica de barrido, ataquequímico, difracción de rayos x, análisis de composición con microsonda electrónica dispersiva en longitudes deonda y medición de propiedades eléctricas mediante efecto Hall. 2001 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201305 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.13 |
| title | Epitaxias de Hg1-xCdxTe con orientación cristalográfica ( 1 1 1 ) Te |
| topic | Física, Astronomía y Matemáticas Hg1 xCdxTe CdZnTe y CdTeSe Sustratos de CdTe Orientación ( 1 1 1 ) Te |
| url | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201305 |