Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio
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Redalyc
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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Sprache: | es |
| Veröffentlicht: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2001
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| _version_ | 1876457988780195840 |
|---|---|
| author | W. Calleja |
| author_facet | W. Calleja |
| contents | Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio W. Calleja J. Huerta R. Murphy A. Díaz M. Landa A. Torres Física, Astronomía y Matemáticas Inductores Circuitos integrados Fenómeno electromagnético En este artículo presentamos el diseño, la fabricación y caracterización de inductores pasivos sobre substratos de silicio.Estos inductores fueron fabricados utilizando una tecnología CMOS de 10mm de dimensión mínima, usando dos capas dealuminio, y SiO2 como dieléctrico internivel. Se diseñaron, fabricaron y caracterizaron inductores poligonales ycirculares, de cuatro y media y siete y media espiras. Las mediciones se realizaron con un Analizador Vectorial de Redesen el rango de 40 MHz a 5 GHz. Los resultados experimentales fueron comparados con la respuesta predicha del modeloeléctrico equivalente. 2001 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201311 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.13 |
| format | Artículo científico |
| id | redalyc_94201311 |
| institution | Redalyc |
| language | es |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. |
| spellingShingle | Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio W. Calleja Física, Astronomía y Matemáticas Inductores Circuitos integrados Fenómeno electromagnético Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio W. Calleja J. Huerta R. Murphy A. Díaz M. Landa A. Torres Física, Astronomía y Matemáticas Inductores Circuitos integrados Fenómeno electromagnético En este artículo presentamos el diseño, la fabricación y caracterización de inductores pasivos sobre substratos de silicio.Estos inductores fueron fabricados utilizando una tecnología CMOS de 10mm de dimensión mínima, usando dos capas dealuminio, y SiO2 como dieléctrico internivel. Se diseñaron, fabricaron y caracterizaron inductores poligonales ycirculares, de cuatro y media y siete y media espiras. Las mediciones se realizaron con un Analizador Vectorial de Redesen el rango de 40 MHz a 5 GHz. Los resultados experimentales fueron comparados con la respuesta predicha del modeloeléctrico equivalente. 2001 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201311 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.13 |
| title | Fabricación y caracterización de inductores sobre silicio |
| topic | Física, Astronomía y Matemáticas Inductores Circuitos integrados Fenómeno electromagnético |
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