APA (7th ed.) Citation

Tamura, M. (2001). GaN growth on (111) Si with very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE. Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Tamura, Masao. GaN Growth on (111) Si with Very Thin Amorphous SiN Layer by ECR Plasma-assisted MBE. Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C, 2001.

MLA (9th ed.) Citation

Tamura, Masao. GaN Growth on (111) Si with Very Thin Amorphous SiN Layer by ECR Plasma-assisted MBE. Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C, 2001.