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GaN growth on (111) Si with very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE

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Détails bibliographiques
Auteur principal:	Masao Tamura
Format:	Artículo científico
Langue:	en
Publié:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2001
Sujets:	Física, Astronomía y Matemáticas Si GaN Molecular beam epitaxy Transmission electron microscopy
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