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Deviation from thermodynamic equilibrium at the initial stage of the GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)

Fuente: Redalyc

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Dettagli Bibliografici
Autore principale:	V.A. Elyukhin
Natura:	Artículo científico
Lingua:	en
Pubblicazione:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2001
Soggetti:	Física, Astronomía y Matemáticas GaN MOCVD Epitaxy Adsorption process
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