Obtención y caracterización de TiSi2
Fuente:
Redalyc
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| Autore principale: | |
|---|---|
| Natura: | Artículo científico |
| Lingua: | es |
| Pubblicazione: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2001
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| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
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| _version_ | 1876487689471000576 |
|---|---|
| author | A. Torres Jacome |
| author_facet | A. Torres Jacome |
| contents | Obtención y caracterización de TiSi2 A. Torres Jacome F. Coyotl Mixcoatl Física, Astronomía y Matemáticas En el departamento de Electrónica del INAOE se desarrolla un proyecto que tiene como fin la reducción de las dimensiones mínimas de 10 a 3 m en el Laboratorio de Microelectrónica. Este escalamiento implica la reducción en las profundidades de unión, ancho de líneas de interconexión y capas aislantes, así como mejores características eléctricas y estructurales. Por su baja resistividad ( 20 -cm), estabilidad térmica y resistencia en ambientes oxidantes se escogió el disiliciuro de titanio (TiSi2) como material de interconexión y de contacto. En este trabajo se presenta un método alterno de formación de TiSi2 para evitar, o reducir a un mínimo, el consumo de silicio cristalino en uniones poco profundas durante la formación de los siliciuros. De igual modo, se presentan las características eléctricas (tales como resistencia de capa, resistividad, resistencia de contacto, etc.) y estructurales obtenidas en el Laboratorio de este Instituto. La resistencia de capa obtenida es RS 1 /cuadro con una correspondiente resistividad 25-30 -cm. La estabilidad eléctrica y mecánica, por otro lado, está sujeta al grosor de la capa buffer de polisilicio utilizada. 2001 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201326 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.13 |
| format | Artículo científico |
| id | redalyc_94201326 |
| institution | Redalyc |
| language | es |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. |
| spellingShingle | Obtención y caracterización de TiSi2 A. Torres Jacome Física, Astronomía y Matemáticas Obtención y caracterización de TiSi2 A. Torres Jacome F. Coyotl Mixcoatl Física, Astronomía y Matemáticas En el departamento de Electrónica del INAOE se desarrolla un proyecto que tiene como fin la reducción de las dimensiones mínimas de 10 a 3 m en el Laboratorio de Microelectrónica. Este escalamiento implica la reducción en las profundidades de unión, ancho de líneas de interconexión y capas aislantes, así como mejores características eléctricas y estructurales. Por su baja resistividad ( 20 -cm), estabilidad térmica y resistencia en ambientes oxidantes se escogió el disiliciuro de titanio (TiSi2) como material de interconexión y de contacto. En este trabajo se presenta un método alterno de formación de TiSi2 para evitar, o reducir a un mínimo, el consumo de silicio cristalino en uniones poco profundas durante la formación de los siliciuros. De igual modo, se presentan las características eléctricas (tales como resistencia de capa, resistividad, resistencia de contacto, etc.) y estructurales obtenidas en el Laboratorio de este Instituto. La resistencia de capa obtenida es RS 1 /cuadro con una correspondiente resistividad 25-30 -cm. La estabilidad eléctrica y mecánica, por otro lado, está sujeta al grosor de la capa buffer de polisilicio utilizada. 2001 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201326 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.13 |
| title | Obtención y caracterización de TiSi2 |
| topic | Física, Astronomía y Matemáticas |
| url | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201326 |