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Raman and Hall characterization of AlGaAs epilayers grown by MOCVD using elemental arsenic

Fuente: Redalyc

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	J. Díaz Reyes
Formato:	Artículo científico
Lenguaje:	en
Publicado:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2002
Materias:	Física, Astronomía y Matemáticas MOCVD AlGaAs Hall Effect Raman Spectroscopy
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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