Análisis AES y XPS de películas delgadas de oxidos de CdTe crecidas por sputtering en Ar-N2O
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Redalyc
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| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Language: | es |
| Published: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2002
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| Subjects: | |
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| _version_ | 1876437788111405056 |
|---|---|
| author | A. Zapata Navarro |
| author_facet | A. Zapata Navarro |
| contents | Análisis AES y XPS de películas delgadas de oxidos de CdTe crecidas por sputtering en Ar-N2O A. Zapata Navarro P. Bartolo Pérez Jhonny Ceh M. H. Farias J. L. Peña Física, Astronomía y Matemáticas Se crecieron por rf sputtering sobre substratos de vidrio películas de óxidos de CdTe usando un plasma controlado de Ar-N2O. Las películas fueron estudiadas mediante la espectroscopia electrónica Auger (AES) y la espectroscopia defotoelectrones de rayos X (XPS). En los perfiles de concentración Auger se muestran que, después de un periodo inicial,las amplitudes pico-pico de Cd, Te y O son constantes. El análisis cuantitativo con XPS muestra que la composiciónquímica depende de la presión parcial de N2O usada durante el crecimiento. La cantidad de oxigeno incorporado llegahasta aproximadamente el 60 at. %, mientras que el Cd y Te diminuyen desde el 40 at. % hasta el 20 at. %. Cuando seincrementa la presión parcial del N2O, se observa que la cantidad de enlaces Te-O aumenta, hasta llegar a su saturacióncuando se forma el compuesto CdTeO3 2002 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201508 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.15 |
| format | Artículo científico |
| id | redalyc_94201508 |
| institution | Redalyc |
| language | es |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. |
| spellingShingle | Análisis AES y XPS de películas delgadas de oxidos de CdTe crecidas por sputtering en Ar-N2O A. Zapata Navarro Física, Astronomía y Matemáticas Análisis AES y XPS de películas delgadas de oxidos de CdTe crecidas por sputtering en Ar-N2O A. Zapata Navarro P. Bartolo Pérez Jhonny Ceh M. H. Farias J. L. Peña Física, Astronomía y Matemáticas Se crecieron por rf sputtering sobre substratos de vidrio películas de óxidos de CdTe usando un plasma controlado de Ar-N2O. Las películas fueron estudiadas mediante la espectroscopia electrónica Auger (AES) y la espectroscopia defotoelectrones de rayos X (XPS). En los perfiles de concentración Auger se muestran que, después de un periodo inicial,las amplitudes pico-pico de Cd, Te y O son constantes. El análisis cuantitativo con XPS muestra que la composiciónquímica depende de la presión parcial de N2O usada durante el crecimiento. La cantidad de oxigeno incorporado llegahasta aproximadamente el 60 at. %, mientras que el Cd y Te diminuyen desde el 40 at. % hasta el 20 at. %. Cuando seincrementa la presión parcial del N2O, se observa que la cantidad de enlaces Te-O aumenta, hasta llegar a su saturacióncuando se forma el compuesto CdTeO3 2002 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201508 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.15 |
| title | Análisis AES y XPS de películas delgadas de oxidos de CdTe crecidas por sputtering en Ar-N2O |
| topic | Física, Astronomía y Matemáticas |
| url | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201508 |