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Restrained relaxation of stress in a MBE-grown thin film of CaF2 on (111) silicon

Fuente: Redalyc

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	E. Torres Tapia
Format:	Artículo científico
Sprache:	en
Veröffentlicht:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2002
Schlagworte:	Física, Astronomía y Matemáticas silicon Thin films Heteroepitaxy Epitaxial growth Molecular Beam Epitaxy
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