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|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Language: | es |
| Published: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2002
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| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201511 |
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Table of Contents:
- Modelado de la región de deserción en la estructura Aluminio/SRO/ Silicio J. A. Luna M. Aceves J. Carrillo Física, Astronomía y Matemáticas Dispositivos de Aluminio/Óxido de silicio rico en Silicio/Silicio (Al/SRO/Si) se caracterizaron experimentalmentemidiendo sus características I-V y C-V. Se utilizaron varios valores de R0 (R0 = [N2O]/[SiH4]), que es la razón de flujosde óxido nitroso y silano. Dependiendo del exceso de silicio, el dispositivo se comporta de acumulación a inversión comoun capacitor MOS en deserción profunda o como una unión inducida PN en polarización inversa. El modelado se realizósuponiendo que la región de carga especial (W) varía como la de una unión PN polarizada inversamente y como uncapacitor MOS en deserción profunda. La aproximación como una unión PN da una mejor aproximación entre losresultados experimentales y las curvas teóricas. Este dispositivo puede ser usado también como una herramienta analítica.Aquí se estiman parámetros característicos, como el tiempo de vida de generación de portadores minoritarios 2002 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201511 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.15