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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Sprache: | es |
| Veröffentlicht: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2002
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201512 |
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Inhaltsangabe:
- Simulación de curvas C-V y C-t para la caracterización eléctrica de dispositivos MIS Jesús Carrillo López Adán Luna Flores G. Francisco Pérez Sánchez Arturo Morales Acevedo Física, Astronomía y Matemáticas En este trabajo se presenta el desarrollo de programas en MathCad para determinar parámetros en estructuras metalaislante-semiconductor (MIS), como son: la concentración de impurezas en el semiconductor, la constante dieléctrica delaislante, la carga en el aislante, la densidad de estados superficiales en la interfaz aislante-semiconductor y la velocidad degeneración superficial. Para la simulación de las curvas C-V se emplearon las ecuaciones convencionales para lacapacitancia en alta frecuencia. Para la determinación experimental del tiempo de generación y la velocidad de generaciónsuperficiales, el dispositivo se cambia súbitamente de la condición de acumulación a la de agotamiento profundo, pormedio de un pulso de voltaje, obteniendo así una respuesta transitoria C-t. Usando la teoría convencional de capacitoresMIS fuera de equilibrio se obtiene un conjunto de ecuaciones analíticas, con las cuales se pueden ajustar los datosexperimentales por medio de un programa en Mathcad 2002 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201512 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.15