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| Autor principal: | |
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| Formato: | Artículo científico |
| Lenguaje: | es |
| Publicado: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2002
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201513 |
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Tabla de Contenidos:
- Caracterización eléctrica mediante C-V y C-t de dispositivos MIS con oxinitruros de silicio depositados por LPCVD Arturo Morales Acevedo Jesús Carrillo López G. Francisco Pérez Sánchez Física, Astronomía y Matemáticas Una de las técnicas más empleadas para obtener oxinitruros de silicio es la de fase vapor a baja presión (LPCVD), la cualconsiste en una reacción química del silano (SiH4), óxido nitroso (N2O) y amoníaco (NH3). En este trabajo se utilizarontemperaturas de 700 ºC y 800 ºC para el depósito de estas películas. Para llevar a cabo es to se variaron las razones de laspresiones parciales del óxido nitroso a silano (R0), así como la razón de las presiones parciales del silano a amoniaco(R1), manteniendo constante la presión parcial del amoníaco; obteniendo así una diversidad de composiciones, desde SiO2hasta Si3N4. Los índices de refracción y los espesores de las películas se determinaron por elipsometría. La caracterizacióneléctrica se realizó mediante mediciones C-V (CapacitanciaVoltaje) y C-t (Capacitancia-Tiempo). Se reportan resultadosexperimentales tales como velocidades de crecimiento, índices de refracción, constante dieléctrica, densidad de carga en elaislante, velocidad de generación y densidad de estados interfaciales y se establece la correlación entre las temperaturas dedepósito y las propiedades antes mencionadas 2002 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201513 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.15