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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Sprache: | es |
| Veröffentlicht: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
1999
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94211324026 |
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Inhaltsangabe:
- Caracterización térmica de capas semiconductoras de AlxGa1-xAs en región de 0.5< x< 0.87 J. L. Pichardo J. G. Mendoza-Alvarez A. Cruz-Orea J. J. Alvarado-Gil G. Torres-Delgado Física, Astronomía y Matemáticas The thermal characterization of Al0.7Ga0.3As alloys grown by liquid phase epitaxy on GaAs substrates, is performed by means of the open photoacustic cell technique. We determine the thermal diffusivity and thermal conductivity by using a model based on the analogy between electrical and thermal resistences. The experimental results obtained using this model, are in good agreement with the ones reported in the literature. We continue our studies for other Al concentrations in the range 0.5£x<1 for AlxGa1-xAs alloys. 1999 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94211324026 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Vol.8