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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Sprache: | es |
| Veröffentlicht: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2010
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216137002 |
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Inhaltsangabe:
- Efecto del Oxigeno en la Cristalización de Películas Delgadas de GeSbTe E. Morales- Sánchez C. Rivera- Rodríguez E. Prokhorov J. González Hernández Física, Astronomía y Matemáticas Ge:Sb:Te Memorias ópticas Fase de transformación En este trabajo se desarrolló un nuevo material para capa activa en Memorias Ópticas Reversibles (MOR), el cual permite grabar información utilizando tres o cuatro niveles de reflectividad en cada punto. Este nuevo material esta basado en Ge1Sb2Te4 dopadas con oxigeno. La técnica de difracción de rayos X muestran que para películas con porcentajes de oxigeno de entre 2 y 8% at. de oxigeno presente en la muestra y cristalizadas a 110° C, la fase cristalina corresponde a la composición estequiometrica de Ge1Sb2Te4. Sin embargo para películas con una concentración de oxigeno mayor al 10% at., la fase cristalina corresponde a Sb2Te3. Se investigaron las propiedades ópticas (reflectancia) de películas de Ge1Sb2Te4 dopadas con oxigeno, comprobando que la segregación de fase en películas con más del 10% de oxigeno, da como resultado un incremento en los tiempos de nucleación y en los tiempos de cristalización inducida por láser, permitiendo la posibilidad de tener un grabado multinivel es decir memorias ópticas con código ternario o cuaternario en lugar de las binarias que tradicionalmente se han utilizado. 2010 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216137002 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.3 Vol.23