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Caracterización de Películas de AlXGa1-XAs sin Impurificar Crecidas por MOCVD

Fuente: Redalyc

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Dettagli Bibliografici
Autore principale:	M. Galván Galván
Natura:	Artículo científico
Lingua:	es
Pubblicazione:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2003
Soggetti:	Física, Astronomía y Matemáticas SIMS AlGaAs Efecto Hall fotoluminiscencia crecimiento de semiconductores III
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author	M. Galván Galván
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contents	Caracterización de Películas de AlXGa1-XAs sin Impurificar Crecidas por MOCVD M. Galván Galván A. Escobosa Chavarria R. Castillo Ojeda J. Díaz Reyes R. Peña Sierra Física, Astronomía y Matemáticas SIMS AlGaAs Efecto Hall fotoluminiscencia crecimiento de semiconductores III Uno de los mayores problemas en el crecimiento de películas epitaxiales de AlxGa1-xAs por MOCVD es la incorporación de carbono y oxígeno como impurezas residuales. Pequeñas concentraciones de oxígeno degradan notablemente sus propiedades eléctricas y ópticas de las epicapas de AlxGa1-xAs; de ahí la importancia de eliminar o reducir su concentración al mínimo. En este trabajo presentamos los resultados obtenidos en el crecimiento y caracterización de películas de AlxGa1-xAs. Las películas se crecieron en un sistema MOCVD, empleando arsénico metálico como fuente de arsénico y como precursores de galio y aluminio los compuestos metal orgánicos trimetil galio (TMGa) y trimetil aluminio (TMAl), respectivamente. El arsénico fue introducido por difusión en la zona de crecimiento usando una fuente de arsénico sólido. Las películas se caracterizaron utilizando Efecto Hall, fotoluminiscencia (FL) a 10 K, espectroscopia de iones secundarios (SIMS). Mediante la técnica de Efecto Hall se determinó que las muestras eran tipo n con una concentración de portadores alrededor de 1x1017cm-3 y una movilidad de electrones de 2200 cm2/V-seg. Utilizando espectroscopia de iones secundarios (SIMS), se determinaron los perfiles de concentración de los principales componentes así como de las impurezas, encontrando la presencia de silicio, carbono y oxígeno en las películas de AlxGa1-xAs. La concentración de silicio es de 1x1017cm-3, valor similar al de la concentración de portadores determinado por mediciones de van der Pauw. La respuesta de fotoluminiscencia a 10K de la muestras esta fuertemente dependiente de la temperatura de crecimiento. Temperaturas de crecimiento más altas que 750ºC fueron necesarias para detectar una señal de fotoluminiscencia razonable. La presencia de oxígeno en las películas parece estar relacionada con la baja respuesta de FL que proporcionan las películas de AlxGa1-xAs 2003 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94216301 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.3 Vol.16
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