Arencibia, P. D. (2004). Propiedades estructurales de la solución ternaria InGaP crecida sobre GaAs por el método de epitaxia de la fase líquida. Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
Chicago Style (17th ed.) CitationArencibia, P. Díaz. Propiedades Estructurales De La Solución Ternaria InGaP Crecida Sobre GaAs Por El Método De Epitaxia De La Fase Líquida. Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C, 2004.
MLA (9th ed.) CitationArencibia, P. Díaz. Propiedades Estructurales De La Solución Ternaria InGaP Crecida Sobre GaAs Por El Método De Epitaxia De La Fase Líquida. Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C, 2004.
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