Arencibia, P. D. (2004). Propiedades estructurales de la solución ternaria InGaP crecida sobre GaAs por el método de epitaxia de la fase líquida. Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
Style de citation Chicago (17e éd.)Arencibia, P. Díaz. Propiedades Estructurales De La Solución Ternaria InGaP Crecida Sobre GaAs Por El Método De Epitaxia De La Fase Líquida. Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C, 2004.
Style de citation MLA (9e éd.)Arencibia, P. Díaz. Propiedades Estructurales De La Solución Ternaria InGaP Crecida Sobre GaAs Por El Método De Epitaxia De La Fase Líquida. Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C, 2004.
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