Propiedades estructurales de la solución ternaria InGaP crecida sobre GaAs por el método de epitaxia de la fase líquida
Fuente:
Redalyc
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Natura: | Artículo científico |
| Lingua: | es |
| Pubblicazione: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2004
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| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
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