Growth and characterization of Ge1-xSnx alloys grown on Ge(001) and GaAs(001)
Fuente:
Redalyc
Guardado en:
| Autor principal: | Vanesa Naar Osorio |
|---|---|
| Formato: | Artículo científico |
| Lenguaje: | en |
| Publicado: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2004
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | |
| Etiquetas: |
Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares
Growth and characterization of Ge1-xSnx alloys grown by magnetron sputter deposition
por: H. Pérez Ladrón de Guevara
Publicado: (2003)
por: H. Pérez Ladrón de Guevara
Publicado: (2003)
Raman scattering from Ge1-xSnx (x<=0:14) alloys
por: H. Navarro-Contreras
Publicado: (2015)
por: H. Navarro-Contreras
Publicado: (2015)
Determination of the optical energy gap of Ge1-xSnx alloys at 4K
por: H. Pérez Ladrón de Guevara
Publicado: (2008)
por: H. Pérez Ladrón de Guevara
Publicado: (2008)
Critical thickness of Ge / GaAs(001) epitaxial films
por: A. G. Rodríguez
Publicado: (2003)
por: A. G. Rodríguez
Publicado: (2003)
Linear electro-optic reflectance modulated spectra of GaAs (001) around E1 and E1+1transitions
por: A. Lastras Martínez
Publicado: (1999)
por: A. Lastras Martínez
Publicado: (1999)
Optical and structural characterization ot the heterostructure CdTe/GaAs grown by RF sputtering
por: M. Meléndez-Lira
Publicado: (1999)
por: M. Meléndez-Lira
Publicado: (1999)
Initial Growth of GaN and InN Over GaAs (110) Substrates
por: H. W. Alves Leite
Publicado: (2004)
por: H. W. Alves Leite
Publicado: (2004)
Photoreflectance study of the GaAs buffer layer in InAs/GaAs quantum dots
por: D.J. Sánchez - Trujillo
Publicado: (2017)
por: D.J. Sánchez - Trujillo
Publicado: (2017)
Effect of a III-V buffer layer on the quality of ZnSe thin films grown by MBE on GaAs substrates
por: M. Meléndez Lira
Publicado: (1999)
por: M. Meléndez Lira
Publicado: (1999)
A Theoretical Study of Acrylonitrile Adsorption on Si(001)
por:
Publicado: (2004)
por:
Publicado: (2004)
Fotorreflectancia y fotoluminiscencia de películas de ZnSe crecidas por MBE sobre sustratos de GaAs con capas colchón de InxGa1-xAs y AlxGa 1-xAs
por: J. Luyo-Alvarado
Publicado: (1999)
por: J. Luyo-Alvarado
Publicado: (1999)
CH3CN on Si(001): Adsorption Geometries and Electronic Structure
por: F. de León Pérez
Publicado: (2004)
por: F. de León Pérez
Publicado: (2004)
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs
por: I. F. L. Dias
Publicado: (2004)
por: I. F. L. Dias
Publicado: (2004)
Preparation and optical properties of Ge and C-induced Ge quantum dots on Si
por: K. Eberl
Publicado: (1999)
por: K. Eberl
Publicado: (1999)
Ab Initio Calculation of the (100) and (110) Surface Phonon Dispersion of GaAs and GaN
por: A. M. Santos
Publicado: (2004)
por: A. M. Santos
Publicado: (2004)
Optical and electrical characterization of AlxGa1−xAs layers grown on GaAs obtained by a metallic-arsenic-based-MOCVD system
por: J. Díaz-Reyes
Publicado: (2007)
por: J. Díaz-Reyes
Publicado: (2007)
Adsorption of C2H2C2O3 on Si(001)
por: R. Miotto
Publicado: (2004)
por: R. Miotto
Publicado: (2004)
Optical and Structural Properties of GaAs/GaInP Quantum Wells Grown by Chemical Beam Epitaxy
por: M. R. Martins
Publicado: (2004)
por: M. R. Martins
Publicado: (2004)
Study of the RPA Pair-Correlation Function in GaAs-AlGaAs Parabolic Quantum WellWires
por: J. B. B. da Cunha
Publicado: (2004)
por: J. B. B. da Cunha
Publicado: (2004)
Raman scattering and electrical characterization of AlGaAs/GaAs rectangular and triangular barriers grown by MOCVD
por: J. Díaz-Reyes
Publicado: (2010)
por: J. Díaz-Reyes
Publicado: (2010)
Caracterización de capas de GaAs y GaAsMn depositadas por magnetrón sputtering
por: C.A. Pulzara-Mora
Publicado: (2016)
por: C.A. Pulzara-Mora
Publicado: (2016)
Exciton polariton emission from a resonantly excited GaAs microcavity
por: E. A. Cotta
Publicado: (2004)
por: E. A. Cotta
Publicado: (2004)
Top valence bands in ZnSe-based ternaries: bulk, 001-surfaces and quantum wells
por: A. Camacho B.
Publicado: (1997)
por: A. Camacho B.
Publicado: (1997)
Photofissility at 1 GeV for Nuclei throughout the Periodic Table
por: V. Morcelle
Publicado: (2005)
por: V. Morcelle
Publicado: (2005)
MBE-growth and characterization of InxGa1-xAs/GaAs (x=0.15) superlattice
por: B. Sarikavak
Publicado: (2008)
por: B. Sarikavak
Publicado: (2008)
The influence of TiB2-thinfilm thickness on metal - GaAs structural characteristics
por: Tetyana G. Kryshtab
Publicado: (1999)
por: Tetyana G. Kryshtab
Publicado: (1999)
Photoluminescence study of GaAs homoepitaxial structures with different in situ substrate surface cleaning processes
por: Javier Luyo-Alvarado
Publicado: (1997)
por: Javier Luyo-Alvarado
Publicado: (1997)
Influences of nitridation and thermal annealing on GaN buffer layers and the property of subsequent GaN epilayers grown by MOCVD
por: Dong Sing Wuu
Publicado: (1999)
por: Dong Sing Wuu
Publicado: (1999)
Hall Effect in InAs/GaAs Superlattices with Quantum Dots: Identifying the Presence of Deep Level Defects
por: A. G. de Oliveira
Publicado: (2004)
por: A. G. de Oliveira
Publicado: (2004)
A majored thermal nitridation process on GaAs (100) surfaces: optical, structural and chemical analysis
por: H. Vilchis
Publicado: (2009)
por: H. Vilchis
Publicado: (2009)
Scattering of GeV Electrons in the Framework of the Relativistic Hartree Approximation
por: C. Barbero
Publicado: (2004)
por: C. Barbero
Publicado: (2004)
Growth and characterization of Cd1−XZnXTe (0 ≤ x ≤ 1) nanolayers grown by isothermal closed space atomic layer deposition on GaSb and GaAs
por: R. S. Castillo Ojeda
Publicado: (2018)
por: R. S. Castillo Ojeda
Publicado: (2018)
Confinement and exotic meson spectroscopy at 12GeV JLab
por: Adam Szczepaniak
Publicado: (2003)
por: Adam Szczepaniak
Publicado: (2003)
Análisis estructural de nanocompósitos de Ge/ZnO
por: U. Pal
Publicado: (2003)
por: U. Pal
Publicado: (2003)
Coherence of Elementary Excitations in Disordered GaAs/AlGaAs Superlattices
por: Yu. A. Pusep
Publicado: (2006)
por: Yu. A. Pusep
Publicado: (2006)
Estudio de películas de GaN crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de Si en las direcciones (111) y (001) recubiertos con una capa delgada de SiC
por: M. Cervantes Contreras
Publicado: (2000)
por: M. Cervantes Contreras
Publicado: (2000)
New Approach to Nuclear Photofission Reactions above 0.15 GeV
por: S. B. Duarte
Publicado: (2004)
por: S. B. Duarte
Publicado: (2004)
Refractive index expressions for Ga1-x lnxAs, GaAs1-xNx and Ga1-xlnxNyAs1-y alloys
por: J.A. Martín
Publicado: (2015)
por: J.A. Martín
Publicado: (2015)
Evidence of a surface acceptor state in undoped semi-insulating GaAs by photothermal radiometric deep level transient spectroscopy
por: Andreas Mandelis
Publicado: (1999)
por: Andreas Mandelis
Publicado: (1999)
Estudio de la difusión de calor en sistemas de dos capas de GaAs/GaSb unidos mediante la técnica de fusión
por: R. A. Muñoz Hernández
Publicado: (1999)
por: R. A. Muñoz Hernández
Publicado: (1999)
Ejemplares similares
-
Growth and characterization of Ge1-xSnx alloys grown by magnetron sputter deposition
por: H. Pérez Ladrón de Guevara
Publicado: (2003) -
Raman scattering from Ge1-xSnx (x<=0:14) alloys
por: H. Navarro-Contreras
Publicado: (2015) -
Determination of the optical energy gap of Ge1-xSnx alloys at 4K
por: H. Pérez Ladrón de Guevara
Publicado: (2008) -
Critical thickness of Ge / GaAs(001) epitaxial films
por: A. G. Rodríguez
Publicado: (2003) -
Linear electro-optic reflectance modulated spectra of GaAs (001) around E1 and E1+1transitions
por: A. Lastras Martínez
Publicado: (1999)