Efectos de los contactos eléctricos en dispositivos de efecto hall cuántico basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs
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Redalyc
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Artículo científico |
| Lenguaje: | es |
| Publicado: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2004
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| Materias: | |
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| _version_ | 1876474974415355904 |
|---|---|
| author | V. H. Méndez García |
| author_facet | V. H. Méndez García |
| contents | Efectos de los contactos eléctricos en dispositivos de efecto hall cuántico basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs V. H. Méndez García Z. Rivera Alvarez A. Guillén Cervantes L. Zamora Peredo J. Huerta M. López López F. Hernández Física, Astronomía y Matemáticas GaAs AlGaAs metrologÍa Contactos óhmicos Efecto Hall cuántico Con el fin de obtener el patrón de resistencia eléctrica mediante el efecto Hall cuántico se desarrollaron una serie dedispositivos basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs. El diseño, la fabricación de las heteroestructurassemiconductoras y el procesamiento para obtener los dispositivos fueron desarrollados totalmente en México. Sepresentan los resultados de la caracterización de los dispositivos y se hace un análisis de la influencia de los contactos enla degradación de la cuantización de la resistencia. Se discuten modificaciones en la fabricación con el objetivo de obtenerdispositivos para aplicaciones en Metrología. 2004 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94217406 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.4 Vol.17 |
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| publishDate | 2004 |
| publisher | Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. |
| spellingShingle | Efectos de los contactos eléctricos en dispositivos de efecto hall cuántico basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs V. H. Méndez García Física, Astronomía y Matemáticas GaAs AlGaAs metrologÍa Contactos óhmicos Efecto Hall cuántico Efectos de los contactos eléctricos en dispositivos de efecto hall cuántico basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs V. H. Méndez García Z. Rivera Alvarez A. Guillén Cervantes L. Zamora Peredo J. Huerta M. López López F. Hernández Física, Astronomía y Matemáticas GaAs AlGaAs metrologÍa Contactos óhmicos Efecto Hall cuántico Con el fin de obtener el patrón de resistencia eléctrica mediante el efecto Hall cuántico se desarrollaron una serie dedispositivos basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs. El diseño, la fabricación de las heteroestructurassemiconductoras y el procesamiento para obtener los dispositivos fueron desarrollados totalmente en México. Sepresentan los resultados de la caracterización de los dispositivos y se hace un análisis de la influencia de los contactos enla degradación de la cuantización de la resistencia. Se discuten modificaciones en la fabricación con el objetivo de obtenerdispositivos para aplicaciones en Metrología. 2004 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94217406 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.4 Vol.17 |
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| topic | Física, Astronomía y Matemáticas GaAs AlGaAs metrologÍa Contactos óhmicos Efecto Hall cuántico |
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