Efectos de los contactos eléctricos en dispositivos de efecto hall cuántico basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs
Fuente:
Redalyc
Enregistré dans:
| Auteur principal: | V. H. Méndez García |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Langue: | es |
| Publié: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2004
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires
Magnetopolaron Effects on the Intradonor 1s-2p+ Transition Energies in a GaAs - AlGaAs Double Quantum Well
par: Paulo C. M. Machado
Publié: (2006)
par: Paulo C. M. Machado
Publié: (2006)
Raman and Hall characterization of AlGaAs epilayers grown by MOCVD using elemental arsenic
par: J. Díaz Reyes
Publié: (2002)
par: J. Díaz Reyes
Publié: (2002)
The Effects of the Plasmon-LO Phonon Interaction on the Critical Densities of RPA Approach in a Quasi-One-Dimensional System
par: P. C. M. Machado
Publié: (2006)
par: P. C. M. Machado
Publié: (2006)
Caracterización de Películas de AlXGa1-XAs sin Impurificar Crecidas por MOCVD
par: M. Galván Galván
Publié: (2003)
par: M. Galván Galván
Publié: (2003)
Optical and Electrical Properties of Te Doped AlGaAsSb/AlAsSb Bragg Mirrors on InP
par: D. O. Toginho Filho
Publié: (2006)
par: D. O. Toginho Filho
Publié: (2006)
Estados electrónicos de puntos cuánticos piramidales y cónicos
par: JOHN ALEXANDER GIL-CORRALES
Publié: (2018)
par: JOHN ALEXANDER GIL-CORRALES
Publié: (2018)
DISPERSIÓN RAMAN DE ELECTRONES EN PUNTOS CUÁNTICOS PIRAMIDALES
par: Álvaro Luis Morales Aramburo
Publié: (2016)
par: Álvaro Luis Morales Aramburo
Publié: (2016)
Estudio del tiempo característico de llenado de trampas en GaAs y en puntos cuánticos de InAs por medio del análisis de espectros de fotorreflectancia
par: T. Figueroa - Reina
Publié: (2015)
par: T. Figueroa - Reina
Publié: (2015)
Análisis de ensanchamientos inhomogéneos en pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs
par: S. E. Zambrano
Publié: (2013)
par: S. E. Zambrano
Publié: (2013)
Influence of state coupling on the electron transport in shallow quantum wells
par: V.A. Kulbachinskii
Publié: (2007)
par: V.A. Kulbachinskii
Publié: (2007)
Estudio de las películas de paladio como barreras de difusión para contactos ohmicos en semiconductores III-V
par: I. Kudriavtsev
Publié: (2005)
par: I. Kudriavtsev
Publié: (2005)
Influence of Minority Carrier Transport in the Optical Properties of Double Barrier Diodes
par: I. Camps
Publié: (2006)
par: I. Camps
Publié: (2006)
Raman scattering and electrical characterization of AlGaAs/GaAs rectangular and triangular barriers grown by MOCVD
par: J. Díaz-Reyes
Publié: (2010)
par: J. Díaz-Reyes
Publié: (2010)
A COMPREHENSIVE REVIEW OF RF AMPLIFIER - TECHNOLOGY AND APPLICATIONS
par: Ananiya, Ananiya, et autres
Publié: (2025)
par: Ananiya, Ananiya, et autres
Publié: (2025)
Photoquenching Indications of a Thermally Triggered Transition Between Two Different EL2 Metastable States in GaAs
par: P. P. Fávero
Publié: (2006)
par: P. P. Fávero
Publié: (2006)
Estudio de Confiabilidad en Diodos Basados en AlGaN/GaN Durante el Estado de Encendido
par: Eliana Acurio
Publié: (2022)
par: Eliana Acurio
Publié: (2022)
Efecto de la distribución superficial de potencial eléctrico en GaAs, debida a un potencial eléctrico externo, sobre imágenes de electrones secundarios en microscopía electrónica de barrido
par: David A. Miranda
Publié: (2011)
par: David A. Miranda
Publié: (2011)
Electronic States in n-Type GaAs Delta-Doped Quantum Wells Under Hydrostatic Pressure
par: M. E. Mora-Ramos
Publié: (2006)
par: M. E. Mora-Ramos
Publié: (2006)
Variable Range Hopping Conduction in Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy GaAs
par: C. P. L Rubinger
Publié: (2006)
par: C. P. L Rubinger
Publié: (2006)
Carbon site switching in carbon doped GaAs, its dependence on carbon concentration
par: S. W. Bland
Publié: (2003)
par: S. W. Bland
Publié: (2003)
Influence of Si(110) misoriented substrates on the microstructure and photoreflectance of GaAs thin films deposited by MBE
par: M. A. Vidal
Publié: (2000)
par: M. A. Vidal
Publié: (2000)
Dehidroisomerización de n-butano sobre catalizadores bifuncionales tipo Al-MCM-41 y Ga-MCM-41 impregnados con Pt o Ga
par: Francisco J. Machado
Publié: (2006)
par: Francisco J. Machado
Publié: (2006)
Low Frequency Oscillations and Bifurcation Diagram in Semi-Insulating GaAs Samples
par: A.G. de Oliveira
Publié: (2006)
par: A.G. de Oliveira
Publié: (2006)
Electron-Phonon Scattering in Graded Quantum Dots
par: G. S. Diniz
Publié: (2006)
par: G. S. Diniz
Publié: (2006)
Kinetic Monte Carlo Simulation of the Nitridation of the GaAs (100) Surfaces
par: A. P. Castro
Publié: (2006)
par: A. P. Castro
Publié: (2006)
Effects of Varying Curvature and Width on the Electronic States of GaAs Quantum Rings
par: A. Bruno-Alfonso
Publié: (2006)
par: A. Bruno-Alfonso
Publié: (2006)
Spin Dynamics of Electrons and Holes in p-Doped InAs/GaAs Quantum Dots
par: P.-F. Braun
Publié: (2006)
par: P.-F. Braun
Publié: (2006)
Infinite Potential Barrier and Hydrostatic Pressure Effects on Impurity-Related Optical Absorption Spectra in GaAs Double Quantum Wells
par: N. Raigoza
Publié: (2006)
par: N. Raigoza
Publié: (2006)
Transversal Filter MMIC design for Multi-Gbit/s Optical CDMA Systems Diseño de Filtro Transversal Monolítico Integrado de Microondas ( MMIC) para los Sistemas Ópticos CDMA en el Régimen de Multi-Gbits/s
par: Jorge Aguilar Torrentera
Publié: (2005)
par: Jorge Aguilar Torrentera
Publié: (2005)
Modeling and Validation of optical transition and absorption spectra of realistic self-assembled InAs/GaAs quantum dot systems
par: Sinha, Shambhu Sharan kumar
Publié: (2025)
par: Sinha, Shambhu Sharan kumar
Publié: (2025)
Binding Energy and Photoionization Cross-Section in GaAs Quantum Well-Wires and Quantum Dots: Magnetic Field and Hydrostatic Pressure Effects
par: J. D. Correa
Publié: (2006)
par: J. D. Correa
Publié: (2006)
Ge2, GaAs va ZnSe ning Bi dagi eruvchanligining haroratga bog'liqligini taxlil qilish
par: I.M.Soliyev
Publié: (2025)
par: I.M.Soliyev
Publié: (2025)
Estudio teórico del ferromagnetismo en la superred (VN)1 /(GaN)3
par: Rafael González-Hernández
Publié: (2012)
par: Rafael González-Hernández
Publié: (2012)
Enhanced non steady photo-electromotive force in p-i-n structures
par: Eliseo Hernández
Publié: (2003)
par: Eliseo Hernández
Publié: (2003)
Modelo compacto con capacidad de predicción de parámetros físicos para amplificadores de RF
par: Guillermo Rafael-Valdivia
Publié: (2019)
par: Guillermo Rafael-Valdivia
Publié: (2019)
Refractive index expressions for Ga1-x lnxAs, GaAs1-xNx and Ga1-xlnxNyAs1-y alloys
par: J.A. Martín
Publié: (2015)
par: J.A. Martín
Publié: (2015)
Nanocrystalline GaN and GaN:H Films Grown by RF-Magnetron Sputtering
par: D. M. G. Leite
Publié: (2006)
par: D. M. G. Leite
Publié: (2006)
France GaN Charger Market Analysis
par: Next Move Strategy Consulting
Publié: (2025)
par: Next Move Strategy Consulting
Publié: (2025)
India GaN Charger Market Analysis
par: Next Move Strategy Consulting
Publié: (2025)
par: Next Move Strategy Consulting
Publié: (2025)
A theoretical study of variation of photoionization cross section of donor impurities in a GaAs quantum dot of cylindrical geometry with incident photon frequency, donor location along the dot axis and applied uniaxial stress
par: F. Oketch
Publié: (2020)
par: F. Oketch
Publié: (2020)
Documents similaires
-
Magnetopolaron Effects on the Intradonor 1s-2p+ Transition Energies in a GaAs - AlGaAs Double Quantum Well
par: Paulo C. M. Machado
Publié: (2006) -
Raman and Hall characterization of AlGaAs epilayers grown by MOCVD using elemental arsenic
par: J. Díaz Reyes
Publié: (2002) -
The Effects of the Plasmon-LO Phonon Interaction on the Critical Densities of RPA Approach in a Quasi-One-Dimensional System
par: P. C. M. Machado
Publié: (2006) -
Caracterización de Películas de AlXGa1-XAs sin Impurificar Crecidas por MOCVD
par: M. Galván Galván
Publié: (2003) -
Optical and Electrical Properties of Te Doped AlGaAsSb/AlAsSb Bragg Mirrors on InP
par: D. O. Toginho Filho
Publié: (2006)