Effects of in-situ annealing processes of GaAs(100) surfaces on the molecular beam epitaxial growth of InAs quantum dots
Fuente:
Redalyc
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Artículo científico |
| Lenguaje: | en |
| Publicado: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2005
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | |
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