Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C

Fuente: Redalyc

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Détails bibliographiques
Auteur principal:	M. A. Domínguez-J.
Format:	Artículo científico
Langue:	es
Publié:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2011
Sujets:	Física, Astronomía y Matemáticas
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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