Study of InxGa1-xN layers growth on GaN/Al2O3 by MOCVD at different pressures

Fuente: Redalyc

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	C. Guarneros
Formato:	Artículo científico
Lenguaje:	en
Publicado:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2013
Materias:	Física, Astronomía y Matemáticas InxGa1 xN alloys XRD patterns vegard’s law growth pressure
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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