Study of InxGa1-xN layers growth on GaN/Al2O3 by MOCVD at different pressures
Fuente:
Redalyc
Salvato in:
| Autore principale: | |
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| Natura: | Artículo científico |
| Lingua: | en |
| Pubblicazione: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2013
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| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
| Tags: |
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