Study of InxGa1-xN layers growth on GaN/Al2O3 by MOCVD at different pressures
Fuente:
Redalyc
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Sprache: | en |
| Veröffentlicht: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2013
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | |
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