Study of InxGa1-xN layers growth on GaN/Al2O3 by MOCVD at different pressures

Fuente: Redalyc
Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: C. Guarneros
Format: Artículo científico
Language:en
Published: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2013
Subjects:
Online Access:
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!