Crecimiento epitaxial de un pozo cuántico de AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs utilizando vapores metalorgánicos y arsénico sólido como precursores

Fuente: Redalyc
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1. Verfasser: R. Castillo-Ojeda
Format: Artículo científico
Sprache:es
Veröffentlicht: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2013
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