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Crecimiento epitaxial de un pozo cuántico de AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs utilizando vapores metalorgánicos y arsénico sólido como precursores

Fuente: Redalyc

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	R. Castillo-Ojeda
Format:	Artículo científico
Sprache:	es
Veröffentlicht:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2013
Schlagworte:	Física, Astronomía y Matemáticas MOCVD Pozo cuántico Arsénico elemental
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