Crecimiento epitaxial de un pozo cuántico de AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs utilizando vapores metalorgánicos y arsénico sólido como precursores
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Artículo científico |
| Lenguaje: | es |
| Publicado: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2013
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