Memristance effect of metal-insulator-metal structures using Al2O3 film as active layer for emergent memory devices

Fuente: Redalyc

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Détails bibliographiques
Auteur principal:	J. Molina
Format:	Artículo científico
Langue:	en
Publié:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2014
Sujets:	Física, Astronomía y Matemáticas Al2O3 Atomic RRAM Devices MIM structures BEOL Processing
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