Estudio del tiempo característico de llenado de trampas en GaAs y en puntos cuánticos de InAs por medio del análisis de espectros de fotorreflectancia

Fuente: Redalyc
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Main Author: T. Figueroa - Reina
Format: Artículo científico
Language:es
Published: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2015
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author T. Figueroa - Reina
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contents Estudio del tiempo característico de llenado de trampas en GaAs y en puntos cuánticos de InAs por medio del análisis de espectros de fotorreflectancia T. Figueroa - Reina D. J. Sánchez - Trujillo J. J. Prías-Barragán H. Ariza - Calderón A. Pulzara M. López - López Física, Astronomía y Matemáticas InAs GaAs Puntos cuánticos Fotorreflectancia Tiempo de llenado de trampas En este trabajo se presentan los resultados del estudio del tiempo de llenado de trampas en un monocristal de GaAs y en puntos cuánticos autoensamblados (PCAs) de InAs, empleando el análisis de espectros de Fotorreflectancia(FR) a temperatura ambiente. Los PCAs fueron crecidos sobre un sustrato de GaAs por medio de la técnica de epitaxia de haces moleculares, mientras que la muestra de GaAs es un monocristal comercial. Los espectros de FR fueron tomados variando la frecuencia del haz modulador para valores comprendidos desde 80Hz hasta 3000Hz. Del respectivo análisis de los espectros de FR, se obtuvo la dependencia de la intensidad de la señal de Fotorreflectancia con la frecuencia de modulación. A partir del ajuste de los datos experimentales de la variación de la intensidad de la señal de FR con la frecuencia de modulación, se logró determinar que la presencia de los PCAs incrementan el valor de T. 2015 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94239246001 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.1 Vol.28
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T. Figueroa - Reina
Física, Astronomía y Matemáticas
InAs
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Puntos cuánticos
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Tiempo de llenado de trampas
Estudio del tiempo característico de llenado de trampas en GaAs y en puntos cuánticos de InAs por medio del análisis de espectros de fotorreflectancia T. Figueroa - Reina D. J. Sánchez - Trujillo J. J. Prías-Barragán H. Ariza - Calderón A. Pulzara M. López - López Física, Astronomía y Matemáticas InAs GaAs Puntos cuánticos Fotorreflectancia Tiempo de llenado de trampas En este trabajo se presentan los resultados del estudio del tiempo de llenado de trampas en un monocristal de GaAs y en puntos cuánticos autoensamblados (PCAs) de InAs, empleando el análisis de espectros de Fotorreflectancia(FR) a temperatura ambiente. Los PCAs fueron crecidos sobre un sustrato de GaAs por medio de la técnica de epitaxia de haces moleculares, mientras que la muestra de GaAs es un monocristal comercial. Los espectros de FR fueron tomados variando la frecuencia del haz modulador para valores comprendidos desde 80Hz hasta 3000Hz. Del respectivo análisis de los espectros de FR, se obtuvo la dependencia de la intensidad de la señal de Fotorreflectancia con la frecuencia de modulación. A partir del ajuste de los datos experimentales de la variación de la intensidad de la señal de FR con la frecuencia de modulación, se logró determinar que la presencia de los PCAs incrementan el valor de T. 2015 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94239246001 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.1 Vol.28
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topic Física, Astronomía y Matemáticas
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Tiempo de llenado de trampas
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