Rational Device Design and Doping‐Controlled Performance in Fast‐Response π‐Ion Gel Transistors (Adv. Funct. Mater. 29/2026)

Fuente: Wiley Open Access
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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Masato Kato, Soh Kushida, Nafees Umar Draz, Dan Kyotani, Emanuel Smarsly, Kyota Yoshinaga, Wenhao He, Uwe H. F. Bunz, Kazuhiro Marumoto, Tatsuya Mori, Yohei Yamamoto
Formato: Artículo Open Access
Publicado: Wiley 2026
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