In Situ Study of Resistive Switching in a Nitride‐Based Memristive Device (Adv. Funct. Mater. 31/2026)

Fuente: Wiley Open Access

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Auteurs principaux:	Di Zhang, Rohan Dhall, Matthew M. Schneider, Cun Li, Chengyu Song, Sundar Kunwar, Hongyi Dou, Natanii R. Yazzie, Henry Tran, Daniel Appuing, Jim Ciston, Nicholas G. Cucciniello, Pinku Roy, Michael T. Pettes, John Watt, Winson Kuo, Haiyan Wang, Ye Cao, Rodney J. McCabe, Aiping Chen
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2026
Sujets:	Advanced Functional Materials
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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