In‐situ p‐Doping of Nanometer Tellurium‐based Oxide for Room‐Temperature CMOS Circuits

Fuente: Wiley Open Access
Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Autori principali: Mengfei He, Hamin Choi, Zhikai Le, Xiaomin Yang, Yanlin Huang, Youjin Reo, Sai Bai, Mingyang Wang, Huihui Zhu, Yong‐Young Noh, Ao Liu
Natura: Artículo Open Access
Pubblicazione: Wiley 2026
Soggetti:
Accesso online:
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!