Field‐Effect Transistors from Artificial Charged Domain Walls in Stacked Van der Waals Ferroelectric α‐In 2 Se 3 (Adv. Mater. 20/2026)

Fuente: Wiley Open Access

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Shahriar Muhammad Nahid, Haiyue Dong, Gillian M. Nolan, SungWoo Nam, Nadya Mason, Pinshane Y. Huang, Arend M. van der Zande
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2026
Sujets:	Advanced Materials
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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