Field‐Effect Transistors from Artificial Charged Domain Walls in Stacked Van der Waals Ferroelectric α‐In 2 Se 3 (Adv. Mater. 20/2026)
Fuente:
Wiley Open Access
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| Formato: | Artículo Open Access |
| Publicado: |
Wiley
2026
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| DOI: | 10.1002/adma.72942 |
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