Tungsten Diselenide Transistors: Layer Number Dependence, Channel Passivation and In‐Plane Gates

Fuente: Wiley Open Access

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Auteurs principaux:	Che‐Jia Chang, You‐Jue Ling, Tzu‐Hsuan Chang, Po‐Tsung Lee, Shih‐Yen Lin
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2026
Sujets:	Advanced Materials Technologies
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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