Tungsten Diselenide Transistors: Layer Number Dependence, Channel Passivation and In‐Plane Gates
Fuente:
Wiley Open Access
Salvato in:
| Autori principali: | , , , , |
|---|---|
| Natura: | Artículo Open Access |
| Pubblicazione: |
Wiley
2026
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|