In‐plane ferroelectrics enabling reduced hysteresis in monolayer MoS2 transistors

Fuente: Wiley Open Access
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Autori principali: Mingxuan Yuan, Binbin Zhang, Jiliang Cai, Jiaqi Zhang, Yue Lu, Shuo Qiao, Kecheng Cao, Hao Deng, Qingqing Ji
Natura: Artículo Open Access
Pubblicazione: Wiley 2024
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