In‐plane ferroelectrics enabling reduced hysteresis in monolayer MoS2 transistors

Fuente: Wiley Open Access

Enregistré dans:

Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Mingxuan Yuan, Binbin Zhang, Jiliang Cai, Jiaqi Zhang, Yue Lu, Shuo Qiao, Kecheng Cao, Hao Deng, Qingqing Ji
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2024
Sujets:	Carbon Neutralization
Accès en ligne:	Acceder al recurso
Tags:	Ajouter un tag Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

Internet