In‐plane ferroelectrics enabling reduced hysteresis in monolayer MoS2 transistors
Fuente:
Wiley Open Access
Guardado en:
| Autores principales: | , , , , , , , , |
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| Formato: | Artículo Open Access |
| Publicado: |
Wiley
2024
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| Materias: | |
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| DOI: | 10.1002/cnl2.148 |
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