A Novel SiC MOSFET Short‐Circuit Protection Method Based on the Gate Charge Characteristic Curves

Fuente: Wiley Open Access

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Lei Zhang, Susu Yang, Yuhan Liu, Rundong Guo, Zhiyuan Yao, Lei Ren
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2026
Sujets:	International Journal of Circuit Theory and Applications
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