Experimental Verification of the Switching Loss Reduction Effect and Characteristic Fluctuation of SiC MOSFETs Dependent on Gate Drive Voltage

Fuente: Wiley Open Access

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Takahide Sagae, Shin‐Ichiro Hayashi, Keiji Wada
Formato:	Artículo Open Access
Publicado:	Wiley 2025
Materias:	Electrical Engineering in Japan
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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