Concentration control of aluminum dopant in 4H‐SiC epitaxy by monomers selection on atomic step surfaces

Fuente: Wiley Open Access
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Auteurs principaux: Junqi Yao, Hangyang Chen, Weining Qian, Feihong Huang, Haonan Chen, Wenyu Kang, Junyong Kang
Format: Artículo Open Access
Publié: Wiley 2025
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