Concentration control of aluminum dopant in 4H‐SiC epitaxy by monomers selection on atomic step surfaces

Fuente: Wiley Open Access
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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Junqi Yao, Hangyang Chen, Weining Qian, Feihong Huang, Haonan Chen, Wenyu Kang, Junyong Kang
Formato: Artículo Open Access
Publicado: Wiley 2025
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