Ultrathin Hafnium‐Based Ferroelectric Devices for In‐Memory Computing Applications

Fuente: Wiley Open Access

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Auteurs principaux:	Chenghong Mo, Zheng Wang, Jialin Meng, Tianyu Wang
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2026
Sujets:	Information & Functional Materials
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