650 ps SET speed in Ge2Sb2Te5 phase change memory induced by TiO2 dielectric crystal plane

Fuente: Wiley Open Access

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Ruizhe Zhao, Ke Gao, Rongjiang Zhu, Zhuoran Zhang, Qiang He, Ming Xu, Niannian Yu, Hao Tong, Xiangshui Miao
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2024
Sujets:	InfoMat
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