650 ps SET speed in Ge2Sb2Te5 phase change memory induced by TiO2 dielectric crystal plane

Fuente: Wiley Open Access
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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Ruizhe Zhao, Ke Gao, Rongjiang Zhu, Zhuoran Zhang, Qiang He, Ming Xu, Niannian Yu, Hao Tong, Xiangshui Miao
Formato: Artículo Open Access
Publicado: Wiley 2024
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