Fractional order capacitance behavior due to hysteresis effect of ferroelectric material on GaN HEMT devices

Fuente: Wiley Open Access

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Auteurs principaux:	Dariskhem Pyngrope, Shubhankar Majumdar, Giovanni Crupi
Format:	Artículo Open Access
Publié:	Wiley 2024
Sujets:	International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields
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